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Final data
SPP07N60C2, SPB07N60C2 SPA07N60C2
Cool MOS™ Power Transistor
Feature New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv, dt rated Ultra low effective capacitances
P-TO220-3-31
Product Summary VDS @ Tjmax 650 R DS(on) ID
P-TO263- PDF 다운로드  Infineon Technologies |
국내 전자부품 판매점 |
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관련 검색 목록
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07N60S5 SPI07N60S5 Cool MOS™ Power Transistor
Feature New revolutionary high voltage technology Worldwide best RDS(on) in TO 220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv, dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductance
SPP07N60S5 SPI07N60S5
VDS RDS(on)
ID
600 V 0.6 Ω Infineon Technologies  |
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07N65C3 SPP07N65C3 SPP07N65C3, SPI07N65C3 SPA07N65C3 CoolMOS™ Power Transistor
Feature New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv, dt rated High peak current capability Improved transconductance
P-TO220-3-31
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V DS RDS(on) ID
PG-TO220-3
650 0.6 7.3  Infineon |
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07N70CP-A N Channel Enhancement mode Power MOSFET  Silicon Standard |
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07N70CR-A N Channel Enhancement mode Power MOSFET Silicon Standard |
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