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| 1N5829R (1N5829 - 1N5831R) Schottky Power Diode Naina Semiconductor Ltd.
Schottky Power Diode, 25A
Features
Fast Switching Low forward voltage drop High surge capability High efficiency, low power loss Normal and Reverse polarity
1N5829 thru 1N5831R
DO-203AA (DO-4)
Maximum Ratings (TJ = 25oC, unless otherwise noted) Parameter Repetitive p   Naina Semiconductor |
| 1N5829R (1N5829 - 1N5831R) Silicon Power Schottky Diode  America Semiconductor |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
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1N50-KW N-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
1N50-KW
Preliminary
1A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIPTION
The UTC 1N50-KW is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characte  Unisonic Technologies  |
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1N500 Diode ( Rectifier )  American Microsemiconductor |
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1N5000 Silicon Rectifiers  Microsemi Corporation |
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1N5000 Diode Switching 400V 3A 2-Pin TOP HAT  New Jersey Semiconductor |
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1N5001 Silicon Rectifiers Microsemi Corporation |
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