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| 1N6638 SWITCHING DIODES 1N6638,1N6642, 1N6643 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV, AND JANS PER MIL-PRF-19500, 578 SWITCHING DIODES NON-CAVITY GLASS PACKAGE METALLURGICALLY BONDED
1N6638 1N6642 1N6643
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C Storage Temperature: -65°C to +175°C Operating Current: 300 mA   Compensated Deuices Incorporated |
| 1N6638 SWITCHING / SIGNAL DIODES SENSITRON ___ SEMICONDUCTOR
1N6638, US thru 1N6642, US StandaSrWd ITCHING , SIGNAL
DIODES
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TECHNICAL DATA
DATA SHEET 4081, REV E
AVAILABLE AS
1N, JAN, JANTX, JANTXV
JANS
JAN EQUIVALENT*
SJ*, SX*, SV*, SS*  SENSITRON SEMICONDUCTOR |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
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1N60 Germanium Glass Diodes  Central Semiconductor |
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1N60 Schottky Barrier Diode FMS
1N60, 1N60P
Schottky Barrier Diode
Features
1. High reliability 2. Low reverse current and low forward voltage
Applications
Low current rectification and high speed switching
Construction
Silicon epitaxial planar
Absolute Maximum Ratings
Tj=25 Parameter Repetitive peak reverse voltage Peak  Formosa MS |
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1N60 N-CHANNEL MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N60
1.2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET
DESCRIPTION
The UTC 1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This powe  Unisonic Technologies |
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