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FDP61N20 200V N-Channel MOSFET September 2005 UniFET FDP61N20 200V N-Channel MOSFET Features 61A, 200V, RDS(on) = 0.041Ω @VGS = 10 V Low gate charge ( typical 58 nC) Low Crss ( typical 80 pF) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv, dt capability TM Description These N-Channel e

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FDP8N60ZU , FDPF8N60ZUT N-Channel MOSFET April 2009 UniFETTM FDP8N60ZU , FDPF8N60ZUT N-Channel MOSFET, FRFET 600V, 6.5A, 1.35Ω Features RDS(on) = 1.15mΩ ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 3.25A Low gate charge ( Typ. 20nC) Low Crss ( Typ. 10pF) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv, dt

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GS3A THRU GS3M SURFACE MOUNT GENERAL RECTIFIER Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts DO-214AB Forward Current - 3.0 Amperes FEATURES The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 For surface mounted applications Low reverse leakage Built-in strain relief,ideal f