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검색 결과 목록
| 2SA0683 Silicon PNP Epitaxial Transistor Transistors
2SA0683 (2SA683), 2SA0684 (2SA684)
Silicon PNP epitaxial planar type
Unit: mm
■ Features
Allowing supply with the radial taping
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter Collector-base voltage (Emitter open) 2SA0683 2SA0684 VCEO VEBO IC ICP PC Tj Tstg Symbol VCBO Rating 30  Panasonic Semiconductor |
| 2SA0684 Silicon PNP Epitaxial Transistor Transistors
2SA0683 (2SA683), 2SA0684 (2SA684)
Silicon PNP epitaxial planar type
Unit: mm
■ Features
Allowing supply with the radial taping
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter Collector-base voltage (Emitter open) 2SA0683 2SA0684 VCEO VEBO IC ICP PC Tj Tstg Symbol VCBO Rating 30 Panasonic Semiconductor |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
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2SA0885 Silicon PNP Epitaxial Transistor Power Transistors
2SA0885 (2SA885)
Silicon PNP epitaxial planar type
Unit: mm
For low-frequency power amplification Complementary to 2SC1846 ■ Features
Output of 3 W can be obtained by a complementary pair with 2SC1846 TO-126B package which requires no insulation plate for installation to the Panasonic Semiconductor  |
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2SA0886 Silicon PNP epitaxial planar type (For low-frequency power amplification Complementary) Power Transistors
2SA0886 (2SA886)
Silicon PNP epitaxial planar type
For low-frequency power amplification Complementary to 2SC1847
φ 3.16±0.1
3.8±0.3
Unit: mm
8.0+0.5 0.1 3.2±0.2
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter Collector-base voltage (Emitter open) Collector-emitter voltag Panasonic Semiconductor |
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2SA100 (2SA100 - 2SA104) Ge PNP Drift  ETC |
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2SA1001 Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification 2SA1001
DESCRIPTION ·High Current Capability ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -130V(Min.)
APPLICATIONS ·Designed for audio and general purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SY  Inchange Semiconductor |
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2SA1001 Trans GP BJT PNP 250V 1.5A  New Jersey Semiconductor |
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