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| 2SA1602A (2SAxxxx) SILICON PNP EPITAXIAL TYPE < SMALL-SIGNAL TRANSISTOR >
2SA1235A
2SA1602A 2SA1993
FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(Super mini type) FEATURE Super mini package for easy mounting OUTLINE DRAWING
2SA1602A
2.1 0.425 1.25 0.425 0.5
Unit：ｍｍ
2SA1235A
2.5 1.5 0.5
Excellent linearity of DC PDF 다운로드  Isahaya Electronics Corporation |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
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2SA0885 Silicon PNP Epitaxial Transistor Power Transistors
2SA0885 (2SA885)
Silicon PNP epitaxial planar type
Unit: mm
For low-frequency power amplification Complementary to 2SC1846 ■ Features
Output of 3 W can be obtained by a complementary pair with 2SC1846 TO-126B package which requires no insulation plate for installation to the  Panasonic Semiconductor  |
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2SA0886 Silicon PNP epitaxial planar type (For low-frequency power amplification Complementary) Power Transistors
2SA0886 (2SA886)
Silicon PNP epitaxial planar type
For low-frequency power amplification Complementary to 2SC1847
φ 3.16±0.1
3.8±0.3
Unit: mm
8.0+0.5 0.1 3.2±0.2
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter Collector-base voltage (Emitter open) Collector-emitter voltag Panasonic Semiconductor |
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2SA100 (2SA100 - 2SA104) Ge PNP Drift  ETC |
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2SA1001 Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification 2SA1001
DESCRIPTION ·High Current Capability ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -130V(Min.)
APPLICATIONS ·Designed for audio and general purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SY  Inchange Semiconductor |
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2SA1001 Trans GP BJT PNP 250V 1.5A  New Jersey Semiconductor |
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