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2SD0601A

Silicon NPN epitaxial planer type Transistor

Transistor 2SD0601A (2SD601A) Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Complementary to 2SB0709A (2SB709A) I Features G High foward current transfer ratio hFE. G Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). G Mini type package, allowing downsizing of the equipment and a



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2SD0602

Silicon NPN epitaxial planer type

Transistors 2SD0602A Silicon NPN epitaxial planer type Unit: mm For general amplification Complementary to 2SB0710A I Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the mag


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2SD0602A

Silicon NPN epitaxial planer type

Transistors 2SD0602A Silicon NPN epitaxial planer type Unit: mm For general amplification Complementary to 2SB0710A I Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the mag


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2SD0638

Silicon NPN epitaxial planar type

Transistors 2SD0638 (2SD638) Silicon NPN epitaxial planar type For medium-power general amplification Complementary to 2SB0643 (2SB643) (0.4) (1.5) (1.5) Unit: mm 6.9±0.1 2.5±0.1 (1.0) 2.0±0.2 ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C Parameter Collector-base voltage (Emitter open) Collector-


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2SD0662

Silicon NPN epitaxial planar type

Transistors 2SD0662, 2SD0662B (2SD662, 2SD662B) Silicon NPN epitaxial planar type For high breakdown voltage general amplification 6.9±0.1 2.5±0.1 (1.0) Unit: mm (0.4) (1.5) 2.0±0.2 High collector-emitter voltage (Base open) VCEO High transition frequency fT M type package allowing eas


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2SD0662B

Silicon NPN epitaxial planar type

Transistors 2SD0662, 2SD0662B (2SD662, 2SD662B) Silicon NPN epitaxial planar type For high breakdown voltage general amplification 6.9±0.1 2.5±0.1 (1.0) Unit: mm (0.4) (1.5) 2.0±0.2 High collector-emitter voltage (Base open) VCEO High transition frequency fT M type package allowing eas


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