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2SD711

NPN Power Transistor

2SD711 FUJI POWER TRANSISTOR TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH POWER DARLINGTON HIGH VOLTAGE,HIGH SPEED SWITCHING hFE ASO Features High D.C. current gain Low saturation voltage Excellent safe operating area High reliability Outline Drawings TO-3 Applications Motor controls Inverters, choppers Sw



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2SD0602

Silicon NPN epitaxial planer type

Transistors 2SD0602A Silicon NPN epitaxial planer type Unit: mm For general amplification Complementary to 2SB0710A I Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the mag


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2SD0602A

Silicon NPN epitaxial planer type

Transistors 2SD0602A Silicon NPN epitaxial planer type Unit: mm For general amplification Complementary to 2SB0710A I Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the mag


Panasonic Semiconductor
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2SD0638

Silicon NPN epitaxial planar type

Transistors 2SD0638 (2SD638) Silicon NPN epitaxial planar type For medium-power general amplification Complementary to 2SB0643 (2SB643) (0.4) (1.5) (1.5) Unit: mm 6.9±0.1 2.5±0.1 (1.0) 2.0±0.2 ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C Parameter Collector-base voltage (Emitter open) Collector-


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2SD0662

Silicon NPN epitaxial planar type

Transistors 2SD0662, 2SD0662B (2SD662, 2SD662B) Silicon NPN epitaxial planar type For high breakdown voltage general amplification 6.9±0.1 2.5±0.1 (1.0) Unit: mm (0.4) (1.5) 2.0±0.2 High collector-emitter voltage (Base open) VCEO High transition frequency fT M type package allowing eas


Panasonic Semiconductor
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2SD0662B

Silicon NPN epitaxial planar type

Transistors 2SD0662, 2SD0662B (2SD662, 2SD662B) Silicon NPN epitaxial planar type For high breakdown voltage general amplification 6.9±0.1 2.5±0.1 (1.0) Unit: mm (0.4) (1.5) 2.0±0.2 High collector-emitter voltage (Base open) VCEO High transition frequency fT M type package allowing eas


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