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| 2SJ118 (2SJ118 / 2SJ119) SILICON P-CHANNEL MOS FET  ETC |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
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2SJ105 Silicon P Channel Junction Type Field Effect Transistor TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type
2SJ105
For Audio Amplifier, Analog Switch, Constant Current and Impedance Converter Applications
2SJ105
Unit: mm
· High breakdown voltage: VGDS = 50 V · High input impedance: IGSS = 1.0 nA (max) (VGS = 30 V) · Low RDS (ON): RDS (ON  Toshiba Semiconductor  |
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2SJ106 Silicon P Channel Junction Type Field Effect Transistor 2SJ106
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type
2SJ106
Audio Frequency Amplifier Applications Analog Switch Applications Constant Current Applications Impedance Converter Applications
Unit: mm
High breakdown voltage: VGDS = 50 V High input impedance: IGSS = 1.0 nA (max) Toshiba Semiconductor |
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2SJ107 Silicon P Channel Junction Type Field Effect Transistor TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type
2SJ107
For Audio Amplifier, Analog Switch, Constant Current and Impedance Converter Applications
2SJ107
Unit: mm
High input impedance: IGSS = 1.0 nA (max) (VGS = 25 V) Low RDS (ON): RDS (ON) = 40 Ω (typ.) Small package
Complemen Toshiba Semiconductor |
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2SJ108 Silicon P Channel Junction Type Field Effect Transistor TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type
2SJ108
2SJ108
Low Noise Audio Amplifier Applications
Unit: mm
· Recommended for first stages of EQ amplifiers and MC head amplifiers.
· High |Yfs|: |Yfs| = 22 mS (typ.) (VDS = 10 V, VGS = 0, IDSS = 3 mA)
· Low noise: En = 0.95 Toshiba Semiconductor |
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2SJ109 P CAHNNEL JUNCTION TYPE (LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER/ DIFFERENTIAL AMPLIFIER APPLICATIONS) Toshiba Semiconductor |
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