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| 3DD101 (3DD101 / 3DD102) NPN PDF 다운로드  ETC |
| 3DD101 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd
Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China
3DD100, 3DD101, 3DD102
NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor
Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability. PDF 다운로드 Shaanxi Qunli Electric |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
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3DD101 (3DD101 / 3DD102) NPN ETC  |
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3DD101A Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
3DD101A
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 100V(Min.) ·DC Current Gain-
: hFE= 20(Min.)@IC= 2A ·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 0.8V(Max)@ IC= 2.5A
APPLICATIONS ·Desi  Inchange Semiconductor |
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3DD101A (3DD101A - 3DD101E) Discrete semiconductor devices power transistor  SJ |
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3DD101A (3DD101 / 3DD102) NPN ETC |
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3DD101B Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
3DD101B
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 150V(Min.) ·DC Current Gain-
: hFE= 20(Min.)@IC= 2A ·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 0.8V(Max)@ IC= 2.5A
APPLICATIONS ·Desi Inchange Semiconductor |
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