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3DD3402

D3402

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3DD101

(3DD101 / 3DD102) NPN



ETC
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datasheet 3DD101 pdf


3DD101A

Silicon NPN Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor isc Product Specification 3DD101A DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min.) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min.)@IC= 2A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.8V(Max)@ IC= 2.5A APPLICATIONS ·Desi


Inchange Semiconductor
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3DD101A

(3DD101A - 3DD101E) Discrete semiconductor devices power transistor



SJ
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3DD101A

(3DD101 / 3DD102) NPN



ETC
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3DD101B

Silicon NPN Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor isc Product Specification 3DD101B DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 150V(Min.) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min.)@IC= 2A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.8V(Max)@ IC= 2.5A APPLICATIONS ·Desi


Inchange Semiconductor
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