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| 3N161 DIODE PROTECTED P-CHANNEL ENGANCEMENT MODE MOSFET GENERAL PUROPSE AMPLIFIER/SWITCH PDF 다운로드  Intersil Corporation |
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3N128 MOSFET AMPLIFIER MAXIMUM RATINGS
Rating Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage Gate-Source Voltage
Drain Current
@Total Device Dissipation T, ^ = 25°C
Derate above 25°C Operating and Storage Junction
Temperature Range
Symbol vDs vDg vgs
id
Pd
Tj, Tstg
Value + 20 + 20 ±10 50 330 2.2
-65 to +175
Unit
Vdc Vdc Vd  Motorola Semiconductors  |
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3N128 Silicon MOS Transistor  General Electric Solid State |
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3N128 Trans MOSFET N-CH 20V 0.05A Rail  New Jersey Semiconductor |
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3N129 Trans MOSFET N-CH 20V 0.05A Rail New Jersey Semiconductor |
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3N140 Trans MOSFET N-CH 25V 0.03A New Jersey Semiconductor |
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