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| 3N164 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 3N163, 3N164
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Linear Integrated Systems
MOSFET
FEATURES
VERY HIGH INPUT IMPEDANCE HIGH GATE BREAKDOWN ULTRA LOW LEAKAGE FAST SWITCHING LOW CAPACITANCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 1) @ 25°C (unless otherwise noted) Drain-Source or Drain-Gate Voltage 3N163 3N164 Transi   Linear Integrated Systems |
| 3N164 High Speed Switch 3N164 P-CHANNEL MOSFET
The 3N164 is an enhancement mode P-Channel Mosfet
The 3N164 is an enhancement mode P-Channel Mosfet designed for use as a General Purpose amplifier or switch The hermetically sealed TO-72 package is well suited for high reliability and harsh environment applications. FEATURES  Micross |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
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3N128 MOSFET AMPLIFIER MAXIMUM RATINGS
Rating Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage Gate-Source Voltage
Drain Current
@Total Device Dissipation T, ^ = 25°C
Derate above 25°C Operating and Storage Junction
Temperature Range
Symbol vDs vDg vgs
id
Pd
Tj, Tstg
Value + 20 + 20 ±10 50 330 2.2
-65 to +175
Unit
Vdc Vdc Vd  Motorola Semiconductors  |
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3N128 Silicon MOS Transistor  General Electric Solid State |
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3N128 Trans MOSFET N-CH 20V 0.05A Rail  New Jersey Semiconductor |
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3N129 Trans MOSFET N-CH 20V 0.05A Rail New Jersey Semiconductor |
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3N140 Trans MOSFET N-CH 25V 0.03A New Jersey Semiconductor |
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