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| 74H1G66S SINGLE BILATERAL SWITCH ®
74H1G66
SINGLE BILATERAL SWITCH
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HIGH SPEED: tPD = 4 ns (TYP.) at VCC = 5V LOW POWER DISSIPATION: ICC = 1 A (MAX.) at TA = 25 oC HIGH NOISE IMMUNITY: VNIH = VNIL = 28% VCC (MIN.) LOW ”ON” RESISTANCE RON = 50Ω (TYP.)AT VCC=9V II, O=100 A SINE WAVE DISTORTION 0.042% (TYP.) PDF 다운로드  STMicroelectronics |
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74H106 SN74H106  ETC  |
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74H1G66 SINGLE BILATERAL SWITCH ®
74H1G66
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HIGH SPEED: tPD = 4 ns (TYP.) at VCC = 5V LOW POWER DISSIPATION: ICC = 1 A (MAX.) at TA = 25 oC HIGH NOISE IMMUNITY: VNIH = VNIL = 28% VCC (MIN.) LOW ”ON” RESISTANCE RON = 50Ω (TYP.)AT VCC=9V II, O=100 A SINE WAVE DISTORTION 0.042% (TYP.) STMicroelectronics |
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74H1G66S SINGLE BILATERAL SWITCH ®
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74H21 DUAL 4-INPUT POSITIVE AND GATE ETC |
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74HC HCMOS family characteristics INTEGRATED CIRCUITS
DATA SHEET
FAMILY SPECIFICATIONS HCMOS family characteristics
March 1988 File under Integrated Circuits, IC06
Philips Semiconductors
HCMOS family characteristics
GENERAL These family specifications cover the common electrical ratings and characteristics of the entire HCMOS 74  Philips |
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