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8102402VA 1024 x 4 CMOS RAM HM-6514
March 1997
1024 x 4 CMOS RAM
Description
The HM-6514 is a 1024 x 4 static CMOS RAM fabricated using self-aligned silicon gate technology. The device utilizes synchronous circuitry to achieve high performance and low power operation. On-chip latches are provided for addresses allowing ef cie ![]() ![]() Intersil Corporation |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
8102406VA 1024 x 4 CMOS RAM HM-6514
March 1997
1024 x 4 CMOS RAM
Description
The HM-6514 is a 1024 x 4 static CMOS RAM fabricated using self-aligned silicon gate technology. The device utilizes synchronous circuitry to achieve high performance and low power operation. On-chip latches are provided for addresses allowing ef cie ![]() Intersil Corporation ![]() |
81080V 3.3V In-System Programmable SuperBIG High Density PLD ispLSI 81080V
®
3.3V In-System Programmable SuperBIG™ High Density PLD Features
SuperBIG HIGH DENSITY IN-SYSTEM PROGRAMMABLE LOGIC 3.3V Power Supply 60,000 PLD Gates, 1080 Macrocells 192-360 I, O Pins Supporting 3.3V, 2.5V I, O 1440 Registers High-Speed Global and Big Fast Megablock (BFM) ![]() Lattice Semiconductor ![]() |
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