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8102404VA

1024 x 4 CMOS RAM

HM-6514 March 1997 1024 x 4 CMOS RAM Description The HM-6514 is a 1024 x 4 static CMOS RAM fabricated using self-aligned silicon gate technology. The device utilizes synchronous circuitry to achieve high performance and low power operation. On-chip latches are provided for addresses allowing ef cie



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Intersil Corporation
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8102406VA

1024 x 4 CMOS RAM

HM-6514 March 1997 1024 x 4 CMOS RAM Description The HM-6514 is a 1024 x 4 static CMOS RAM fabricated using self-aligned silicon gate technology. The device utilizes synchronous circuitry to achieve high performance and low power operation. On-chip latches are provided for addresses allowing ef cie


Intersil Corporation
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81080V

3.3V In-System Programmable SuperBIG High Density PLD

ispLSI 81080V ® 3.3V In-System Programmable SuperBIG™ High Density PLD Features SuperBIG HIGH DENSITY IN-SYSTEM PROGRAMMABLE LOGIC 3.3V Power Supply 60,000 PLD Gates, 1080 Macrocells 192-360 I, O Pins Supporting 3.3V, 2.5V I, O 1440 Registers High-Speed Global and Big Fast Megablock (BFM)


Lattice Semiconductor
Lattice Semiconductor

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