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| 8N50NZ N-Channel MOSFET FDP8N50NZ , FDPF8N50NZ N-Channel UniFETTM II MOSFET
FDP8N50NZ , FDPF8N50NZ
N-Channel UniFETTM II MOSFET
500 V, 8 A, 850 m
October 2013
Features
RDS(on) = 770 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 4 A Low Gate Charge (Typ. 14 nC) Low Crss (Typ. 5 pF) 100% Avalanche Tested Improve dv, dt Capability   Fairchild Semiconductor |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
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8N50NZ N-Channel MOSFET FDP8N50NZ , FDPF8N50NZ N-Channel UniFETTM II MOSFET
FDP8N50NZ , FDPF8N50NZ
N-Channel UniFETTM II MOSFET
500 V, 8 A, 850 m
October 2013
Features
RDS(on) = 770 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 4 A Low Gate Charge (Typ. 14 nC) Low Crss (Typ. 5 pF) 100% Avalanche Tested Improve dv, dt Capability Fairchild Semiconductor  |
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8N55 N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
8N55
DESCRIPTION ·Drain Current ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS= 550V(Min) ·Fast Switching Speed
APPLICATIONS ·General purpose power amplifier
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25℃)
SYMBOL
PARAMETER  Inchange Semiconductor |
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