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| BB102C Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier BB102C
Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier
ADE-208-588 (Z) 1st. Edition November 1997 Features
Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. Low noise characteristics; (NF = 2.1 dB typ. at f = 900 MHz) Withstanding to ESD; Build in ESD absorbing diode. W   Hitachi |
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BB102M Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier BB102M
Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier
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