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| BC303 PNP SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES   Micro Electronics |
| BC303 Bipolar PNP Device BC303
Dimensions in mm (inches).
8.51 (0.34) 9.40 (0.37)
7.75 (0.305) 8.51 (0.335)
6.10 (0.240) 6.60 (0.260)
12.70 (0.500)
min.
(00.0.8395)max.
0.41 (0.016) 0.53 (0.021)
dia.
5.08 (0.200) typ.
0.74 (0.029) 1.14 (0.045)
0.71 (0.028) 0.86 (0.034)
2 13
45°
2.54 (0.100)
1 Emitter
TO39 (TO205  Seme LAB |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
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BC301 (BC300 - BC302) NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS Continental Device India Limited
An ISO, TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS
BC300, BC301, BC302 TO-39 Metal Can Package
NPN SILICON LOW -AND- MEDIUM POWER TRANSISTORS.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25ºC unless specified otherwise) DESCRIPTI  CDIL  |
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BC301 PNP SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES Micro Electronics |
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BC302 (BC300 - BC302) NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS Continental Device India Limited
An ISO, TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS
BC300, BC301, BC302 TO-39 Metal Can Package
NPN SILICON LOW -AND- MEDIUM POWER TRANSISTORS.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25ºC unless specified otherwise) DESCRIPTI CDIL |
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BC302 Bipolar NPN Device BC302
Dimensions in mm (inches).
8.51 (0.34) 9.40 (0.37)
7.75 (0.305) 8.51 (0.335)
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. Bipolar NPN Device.
6.10 (0.240) 6.60 (0.260)
12.70 (0.500) min.
0.89 max. (0.035) 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) dia.
VCEO = 45V
5.08 (0.200) typ.
IC Seme LAB |
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BC302 PNP SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES Micro Electronics |
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