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BDY13-6

Silicon NPN Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor isc Product Specification BDY13-6 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min.) ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1V(Max)@ IC = 3A ·High Switching Speed APPLICATIONS ·Designed for LF signal powe


Inchange Semiconductor
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