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BDY82 Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification
BDY82
DESCRIPTION ·Continuous Collector Current-IC= -4A ·Collector Power Dissipation-
: PC= 36W @TC= 25℃ ·Complement to Type BDY80
APPLICATIONS ·Designed for general purpose switching and amplifier
application ![]() ![]() Inchange Semiconductor |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
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BDY13-6 Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BDY13-6
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 60V(Min.) ·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1V(Max)@ IC = 3A ·High Switching Speed
APPLICATIONS ·Designed for LF signal powe ![]() Inchange Semiconductor ![]() |
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