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BF173

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BF1005S

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise/ high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network)

BF 1005S Silicon N-Channel MOSFET Tetrode For low noise, high gain controlled input stages up to 1GH- Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Q62702-F1665 Pin Configuration 1


Siemens Semiconductor Group
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BF1005S

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz Operating voltage 5 V Integrated biasing network Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified according AEC Q101 BF1005S... AGC RF Input Drain RF Output G2 + DC G1 GND ESD (Electrostatic discharge)


Infineon Technologies AG
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BF1005SR

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz Operating voltage 5 V Integrated biasing network Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified according AEC Q101 BF1005S... AGC RF Input Drain RF Output G2 + DC G1 GND ESD (Electrostatic discharge)


Infineon Technologies AG
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BF1005SW

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode

BF1005S... Silicon N-Channel MOSFET Tetrode For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GH- Operating voltage 5 V Integrated biasing network Drain AGC HF Input G2 G1 HF Output + DC GND EHA07215 ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type BF100


Infineon Technologies AG
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BF1005W

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode

BF1005... Silicon N-Channel MOSFET Tetrode For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GH- Operating voltage 5V Integrated biasing network Drain AGC HF Input G2 G1 HF Output + DC GND EHA07215 ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type BF1005


Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG

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