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BF2000W Silicon N Channel MOSFET Tetrode (Short-channel transistor with high S/C quality factor For low-noise/ gain-controlled input stages up to 1 GHz) BF 2000W
Silicon N Channel MOSFET Tetrode Target data sheet Short-channel transistor with high S, C quality factor For low-noise, gain-controlled input stages up to 1 GHz
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2 1
VPS05605
Type
Marking Ordering Code Q62702-F1772
Pin Configuration 1=D 2=S 3 = G1 4 = G2
Package SOT-343
BF 2000  Siemens Semiconductor Group  |
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BF200B NPN High Frequency Transistors  Bharat |
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BF200B IF / RF Amplifiers and Oscillators  Advani |
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BF2030 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise/ high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V) BF 2030
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Preliminary data For low noise, high gain controlled input stages up to 1GH- Operating voltage 5V
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VPS05178
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution
Type BF 2030
Marking Ordering Code NEs Q62702-F1773
Pin Config Siemens Semiconductor Group |
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BF2030 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz
Operating voltage 5V Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified according AEC Q101
BF2030...
AGC
RF Input RG1
G2 G1
VGG
GND
Drain
RF Output + DC
ESD (Electrostatic discharge) sensitive device,  Infineon Technologies AG |
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