BP103의 가격 정보 및 구매처를 확인 할 수 있습니다. |
|
|
검색 결과 목록
| BP103 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
BP 103
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben, Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet f r Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm q Hohe Linearit t q TO-18, Bodenplatte, klares   Siemens Semiconductor Group |
| BP103-2 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
BP 103
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben, Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet f r Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm q Hohe Linearit t q TO-18, Bodenplatte, klares Siemens Semiconductor Group |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
|
BP10-04 Diode ( Rectifier )  American Microsemiconductor  |
|
BP10-06 Diode ( Rectifier ) American Microsemiconductor |
|
BP10-08 Diode ( Rectifier ) American Microsemiconductor |
|
BP10-10 Diode ( Rectifier ) American Microsemiconductor |
|
BP1001-7R 120...195 Watt DC-DC Converters P Series
120...195 Watt DC-DC Converters
Input voltage up to 150 V DC 1 to 4 isolated outputs 3.3...96 V DC 4242V DC I, O electric strength test voltage
LGA
Extremely slim case (4 TE), fully enclosed Extremely low inrush current, hot swappable Operating ambient temperature range 40...71°C wit  Power-One |
|
국내 및 해외 전자부품 구매 정보 및 가격정보를 쉽게 확인 할수 있습니다. 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 결과를 필터링하여 필요한 정확한 데이터시트를 쉽게 찾을 수 있습니다. |
|
검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. 이 페이지에 대한 링크를 허용합니다. |
|
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 맵 : 1, 2 |