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| BS62LV1025DI Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 8 bit BSI
FEATURES
Very Low Power, Voltage CMOS SRAM 128K X 8 bit
DESCRIPTION
BS62LV1025
Vcc operation voltage : 4.5V ~ 5.5V Very low power consumption : Vcc = 5.0V C-grade : 35mA (Max.) operating current I- grade : 40mA (Max.) operating current 0.4uA (Typ.) CMOS standby current High speed access   Brilliance Semiconductor |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
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BS616LV1010 Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit Brilliance Semiconductor  |
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BS616LV1010AC Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit Brilliance Semiconductor |
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BS616LV1010AI Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit BSI
FEATURES
Very Low Power, Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit
DESCRIPTION
BS616LV1010
Very low operation voltage : 2.4 ~ 5.5V Very low power consumption : Vcc = 3.0V C-grade : 20mA (Max.) operating current I- grade : 25mA (Max.) operating current 0.02uA (Typ.) CMOS standby current Vcc = 5.0V C- Brilliance Semiconductor |
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BS616LV1010EC Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit BSI
FEATURES
Very Low Power, Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit
DESCRIPTION
BS616LV1010
Very low operation voltage : 2.4 ~ 5.5V Very low power consumption : Vcc = 3.0V C-grade : 20mA (Max.) operating current I- grade : 25mA (Max.) operating current 0.02uA (Typ.) CMOS standby current Vcc = 5.0V C- Brilliance Semiconductor |
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BS616LV1010EI Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit BSI
FEATURES
Very Low Power, Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit
DESCRIPTION
BS616LV1010
Very low operation voltage : 2.4 ~ 5.5V Very low power consumption : Vcc = 3.0V C-grade : 20mA (Max.) operating current I- grade : 25mA (Max.) operating current 0.02uA (Typ.) CMOS standby current Vcc = 5.0V C- Brilliance Semiconductor |
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