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BZX55B18

Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

BZX55B... Vishay Telefunken Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes Features D D D D D D Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Low noise Very high stability Available with tighter tolerances VZ–tolerance ± 2% Applications Voltage stabilization 94 9367 Absolute Maximum Rating


Vishay Telefunken
Vishay Telefunken


BZX55B18

Silicon Zener Diode, Rectifier

BZX55B SILICON PLANAR ZENER DIODES Max. 0.5 Max. 1.9 Min. 27.5 Black Cathode Band Black Part No. Black "ST" Brand XXX ST Max. 3.9 Min. 27.5 Max. 0.45 Max. 1.9 Min. 27.5 Black Cathode Band Black Part No. XXX Max. 2.9 Min. 27.5 Glass Case DO-35 Dimensions in mm Glass Case DO-34 Dimensi


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BZX55B18-TAP - Vishay Semiconductors

DIODE ZENER 18V 500MW DO35

BZX55B18-TAP 데이터시트.pdf

재고수량: 22161

5000 개당: 0.03313 USD
2000 개당: 0.03572 USD
1000 개당: 0.04121 USD
500 개당: 0.0593 USD

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BZX55B18 - Taiwan Semiconductor

DO-35, 500MW, 2%, SMALL SIGNAL Z

BZX55B18 데이터시트.pdf

재고수량: 0

250000 개당: 0.02258 USD
100000 개당: 0.0231 USD
50000 개당: 0.02606 USD
30000 개당: 0.02901 USD

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BZX55B18 R0G - Taiwan Semiconductor

Zener Diodes 500mW, 2%, Small Signal Zener Diode



재고수량: 7495

1 개당: 0.2 USD
10 개당: 0.141 USD
100 개당: 0.069 USD
1000 개당: 0.04 USD

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BZX55B18 - Taiwan Semiconductor

Zener Diodes Zener 500mW 18v

BZX55B18 데이터시트.pdf

재고수량: 0


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BZX55B18-TR - Vishay Intertechnologies

Zener Diodes 18 Volt 0.5W 2%



재고수량: 0

30000 개당: 0.0201 USD

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BZX11

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX11 pdf


BZX12

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

datasheet BZX12 pdf


BZX12

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX12 pdf


BZX13

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

datasheet BZX13 pdf


BZX13

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
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datasheet BZX13 pdf



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