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BZX55B33

Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

BZX55B... Vishay Telefunken Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes Features D D D D D D Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Low noise Very high stability Available with tighter tolerances VZ–tolerance ± 2% Applications Voltage stabilization 94 9367 Absolute Maximum Rating


Vishay Telefunken
Vishay Telefunken


BZX55B33

Silicon Zener Diode, Rectifier

BZX55B SILICON PLANAR ZENER DIODES Max. 0.5 Max. 1.9 Min. 27.5 Black Cathode Band Black Part No. Black "ST" Brand XXX ST Max. 3.9 Min. 27.5 Max. 0.45 Max. 1.9 Min. 27.5 Black Cathode Band Black Part No. XXX Max. 2.9 Min. 27.5 Glass Case DO-35 Dimensions in mm Glass Case DO-34 Dimensi


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BZX55B33-TR - Vishay Semiconductors

DIODE ZENER 33V 500MW DO35



재고수량: 25677

10000 개당: 28.8496 KRW
5000 개당: 47.7864 KRW
2000 개당: 51.518 KRW
1000 개당: 59.445 KRW

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BZX55B33 - Taiwan Semiconductor

DO-35, 500MW, 2%, SMALL SIGNAL Z



재고수량: 0

250000 개당: 32.57639 KRW
100000 개당: 33.32821 KRW
50000 개당: 37.58814 KRW
30000 개당: 41.84827 KRW

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BZX55B33 R0G - Taiwan Semiconductor

Zener Diodes 500mW, 2%, Small Signal Zener Diode



재고수량: 7408

1 개당: 0.2 USD
10 개당: 0.141 USD
100 개당: 0.069 USD
1000 개당: 0.04 USD

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BZX55B33-TR - Vishay Intertechnologies

Zener Diodes 33 Volt 0.5W 2%

BZX55B33-TR 데이터시트.pdf

재고수량: 25387

1 개당: 0.21 USD
10 개당: 0.146 USD
100 개당: 0.055 USD
1000 개당: 0.036 USD

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BZX55B33-TAP - Vishay Intertechnologies

Zener Diodes 33 Volt 0.5W 2%

BZX55B33-TAP 데이터시트.pdf

재고수량: 0

30000 개당: 0.0203 USD

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관련 검색 목록

BZX11

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX11 pdf


BZX12

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

datasheet BZX12 pdf


BZX12

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX12 pdf


BZX13

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

datasheet BZX13 pdf


BZX13

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX13 pdf



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