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BZX55C5V6

500mW ZENER DIODES

ZENER DIODES SENSITRON SEMICONDUCTOR OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE –55°C TO+200°C 500mW ZENER DIODES / DO-35/DL-35 (MINI MELF) TYPE Nominal Zener Voltage VZ @IZT Min BZX / BZV 55 C 2V4 BZX / BZV 55 C 2V7 BZX / BZV 55 C 3V0 BZX / BZV 55 C 3V3 BZX / BZV 55 C 3V6 BZX / BZV 55 C 3V9 BZX / BZV


SENSITRON
SENSITRON


BZX55C5V6

Series Half Watt Zeners

BZX55C 3V3 - BZX55C 33 Series Discrete POWER & Signal Technologies BZX55C 3V3 - 33 Series Half Watt Zeners Absolute Maximum Ratings* Parameter Storage Temperature Range Maximum Junction Operating Temperature Lead Temperature (1/16” from case for 10 seconds) Total Device Dissipation Derate above


Fairchild Semiconductor
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BZX55C5V6-TAP - Vishay Intertechnologies

DIODE, ZENER, 5.6V, 0.5W, 5%, DO35

BZX55C5V6-TAP 데이터시트.pdf

재고수량: 9252

5000 개당: 0.046 SGD
1000 개당: 0.047 SGD
500 개당: 0.07 SGD
100 개당: 0.093 SGD

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BZX55C5V6 - onsemi

DIODE, ZENER, VZ 5.6V



재고수량: 0

250 개당: 0.061 SGD
100 개당: 0.08 SGD
25 개당: 0.092 SGD
1 개당: 0.121 SGD

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BZX55C5V6 - Taiwan Semiconductor

DO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z



재고수량: 0

250000 개당: 0.02153 USD
100000 개당: 0.02203 USD
50000 개당: 0.02485 USD
30000 개당: 0.02766 USD

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BZX55C5V6 - onsemi

DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35



재고수량: 0


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BZX55C5V6 R0G - Taiwan Semiconductor

Zener Diodes 500mW, 5%, Small Signal Zener Diode



재고수량: 15601

1 개당: 0.19 USD
10 개당: 0.136 USD
100 개당: 0.066 USD
1000 개당: 0.038 USD

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관련 검색 목록

BZX11

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX11 pdf


BZX12

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

datasheet BZX12 pdf


BZX12

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX12 pdf


BZX13

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

datasheet BZX13 pdf


BZX13

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX13 pdf



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