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BZX84-C18

Voltage regulator diodes

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BZX84 series Voltage regulator diodes Product specification Supersedes data of 1996 Apr 26 1999 May 18 Philips Semiconductors Product specification Voltage regulator diodes FEATURES • Total power dissipation: max. 250 mW • Three to


NXP Semiconductors
NXP Semiconductors


BZX84-C18

Zener Diodes

BZX84 Series Zener Diodes Vz Range 2.4 to 75V Power Dissipation 300mW TO-236AB (SOT-23) .122 (3.1) .110 (2.8) .016 (0.4) 3 .056 (1.43) .052 (1.33) Top View Mounting Pad Layout 0.037 (0.95) 0.037 (0.95) 1 2 max. .004 (0.1) Dimensions in inches and (millimeters) 0.079 (2.0) .007 (0.175) .005 (0.


General Semiconductor
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BZX84-C18 - onsemi

DIODE, ZENER, 18V, 350MW



재고수량: 0

5000 개당: 0.039 SGD
1000 개당: 0.048 SGD
500 개당: 0.085 SGD
250 개당: 0.096 SGD

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BZX84-C18 - onsemi

DIODE, ZENER, 18V, 350MW



재고수량: 0

5000 개당: 0.039 SGD
1000 개당: 0.048 SGD
500 개당: 0.085 SGD
250 개당: 0.096 SGD

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BZX84C18 RFG - Taiwan Semiconductor

DIODE ZENER 18V 300MW SOT23



재고수량: 3000

150000 개당: 0.02679 USD
75000 개당: 0.03091 USD
30000 개당: 0.03441 USD
9000 개당: 0.03503 USD

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BZX84C18 RFG - Taiwan Semiconductor

DIODE ZENER 18V 300MW SOT23



재고수량: 2820

1000 개당: 0.05254 USD
500 개당: 0.07562 USD
100 개당: 0.0907 USD
10 개당: 0.186 USD

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BZX84C18LT1G - onsemi
BZX84C18LT1G 데이터시트

Diode Zener Single 18V 6% 300mW 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: BZX84C18LT1G)

BZX84C18LT1G 데이터시트.pdf

재고수량: 117000

3000000 개당: 0.0135 USD
1500000 개당: 0.01359 USD
600000 개당: 0.0185 USD
300000 개당: 0.0234 USD

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관련 검색 목록

BZX11

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX11 pdf


BZX12

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

datasheet BZX12 pdf


BZX12

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX12 pdf


BZX13

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

datasheet BZX13 pdf


BZX13

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX13 pdf



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