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BZX84-C39

Voltage regulator diodes

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BZX84 series Voltage regulator diodes Product specification Supersedes data of 1996 Apr 26 1999 May 18 Philips Semiconductors Product specification Voltage regulator diodes FEATURES • Total power dissipation: max. 250 mW • Three to


NXP Semiconductors
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BZX84-C39

Zener Diodes

BZX84 Series Zener Diodes Vz Range 2.4 to 75V Power Dissipation 300mW TO-236AB (SOT-23) .122 (3.1) .110 (2.8) .016 (0.4) 3 .056 (1.43) .052 (1.33) Top View Mounting Pad Layout 0.037 (0.95) 0.037 (0.95) 1 2 max. .004 (0.1) Dimensions in inches and (millimeters) 0.079 (2.0) .007 (0.175) .005 (0.


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BZX84-C39,215 - Nexperia
BZX84-C39,215 데이터시트

DIODE, ZENER, 39V, 250MW, SOT23

BZX84-C39,215 데이터시트.pdf

재고수량: 2887

1000 개당: 0.043 SGD
500 개당: 0.053 SGD
100 개당: 0.062 SGD
5 개당: 0.143 SGD

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BZX84C39 - SPC Multicomp



BZX84C39 데이터시트.pdf

재고수량: 0

5000 개당: 0.033 SGD
1000 개당: 0.038 SGD
500 개당: 0.052 SGD
100 개당: 0.074 SGD

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BZX84-C39,235 - Nexperia

DIODE ZENER 39V 250MW TO236AB



재고수량: 19325

250000 개당: 15.6051 KRW
100000 개당: 17.5997 KRW
50000 개당: 18.77302 KRW
30000 개당: 21.70643 KRW

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BZX84-C39,215 - Nexperia

DIODE ZENER 39V 250MW TO236AB

BZX84-C39,215 데이터시트.pdf

재고수량: 5926

150000 개당: 18.27487 KRW
75000 개당: 21.98475 KRW
30000 개당: 25.41987 KRW
9000 개당: 27.48089 KRW

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SZBZX84C39ET1G - onsemi

Diode Zener Single 39V 5% 300mW 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SZBZX84C39ET1G)

SZBZX84C39ET1G 데이터시트.pdf

재고수량: 24000

60000 개당: 0.01665 USD
30000 개당: 0.01758 USD

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관련 검색 목록

BZX11

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX11 pdf


BZX12

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

datasheet BZX12 pdf


BZX12

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX12 pdf


BZX13

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

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BZX13

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

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