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BZX84-C3V6

Voltage regulator diodes

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BZX84 series Voltage regulator diodes Product specification Supersedes data of 1996 Apr 26 1999 May 18 Philips Semiconductors Product specification Voltage regulator diodes FEATURES • Total power dissipation: max. 250 mW • Three to


NXP Semiconductors
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BZX84-C3V6

Zener Diodes

BZX84 Series Zener Diodes Vz Range 2.4 to 75V Power Dissipation 300mW TO-236AB (SOT-23) .122 (3.1) .110 (2.8) .016 (0.4) 3 .056 (1.43) .052 (1.33) Top View Mounting Pad Layout 0.037 (0.95) 0.037 (0.95) 1 2 max. .004 (0.1) Dimensions in inches and (millimeters) 0.079 (2.0) .007 (0.175) .005 (0.


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BZX84C3V6LT1G - onsemi
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DIODE, ZENER, 3.6V, 225MW, SOT-23-3

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재고수량: 10002

500 개당: 0.058 SGD

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DIODE, ZENER, 3.6V, 225MW, SOT-23-3

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재고수량: 10002

500 개당: 0.058 SGD
100 개당: 0.059 SGD
10 개당: 0.122 SGD
5 개당: 0.201 SGD

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BZX84C3V6LT1G - onsemi
BZX84C3V6LT1G 데이터시트

DIODE ZENER 3.6V 250MW SOT23-3

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재고수량: 30000

150000 개당: 0.01263 USD
75000 개당: 0.01519 USD
30000 개당: 0.01756 USD
9000 개당: 0.01899 USD

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BZX84C3V6W-7 - Diodes Incorporated

DIODE ZENER 3.6V 200MW SOT323

BZX84C3V6W-7 데이터시트.pdf

재고수량: 2060

1000 개당: 0.10406 USD
500 개당: 0.11702 USD
100 개당: 0.157 USD
10 개당: 0.249 USD

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BZX84-C3V6215 - Nexperia

Diode Zener Single 3.6V 5% 250mW 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: BZX84-C3V6,215)



재고수량: 36000

3450000 개당: 0.01353 USD
1725000 개당: 0.01386 USD
690000 개당: 0.0142 USD
345000 개당: 0.01456 USD

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관련 검색 목록

BZX11

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX11 pdf


BZX12

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

datasheet BZX12 pdf


BZX12

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX12 pdf


BZX13

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

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BZX13

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

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