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BZX84C11LT1

SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA)



Leshan Radio Company
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BZX84C11LT1

225 mW SOT-23 Zener Voltage Regulator Diodes

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 225 mW SOT-23 Zener Voltage Regulator Diodes GENERAL DATA APPLICABLE TO ALL SERIES IN THIS GROUP GENERAL DATA 225 mW SOT-23 Zener Voltage Regulator Diodes Manufacturing Locations: WAFER FAB: Phoenix, Arizona ASSEMBLY: Seremban, Malaysia TEST: Seremban, Malay


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BZX84C11LT1G - onsemi
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ZENER DIODE, 225MW, 11V, SOT-23

BZX84C11LT1G 데이터시트.pdf

재고수량: 7401

45000 개당: 0.022 SGD
24000 개당: 0.025 SGD
9000 개당: 0.026 SGD
3000 개당: 0.032 SGD

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ZENER DIODE, 225MW, 11V, SOT-23

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45000 개당: 0.022 SGD
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SZBZX84C11LT1G - onsemi

DIODE ZENER 11V 225MW SOT23-3

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재고수량: 10715

75000 개당: 0.01616 USD
30000 개당: 0.01698 USD
9000 개당: 0.01836 USD
6000 개당: 0.02157 USD

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BZX84C11LT1G - onsemi
BZX84C11LT1G 데이터시트

Diode Zener Single 11V 5% 300mW 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: BZX84C11LT1G)

BZX84C11LT1G 데이터시트.pdf

재고수량: 15000

300000 개당: 0.01247 USD
150000 개당: 0.01287 USD
75000 개당: 0.01327 USD
30000 개당: 0.01336 USD

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BZX84C11LT1G - onsemi

Zener Diodes 11V 250mW

BZX84C11LT1G 데이터시트.pdf

재고수량: 13330

1 개당: 0.14 USD
10 개당: 0.097 USD
100 개당: 0.041 USD
1000 개당: 0.029 USD

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관련 검색 목록

BZX11

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

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BZX12

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

datasheet BZX12 pdf


BZX12

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

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BZX13

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

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BZX13

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

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