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BZX84C12

300mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE

Features • Planar Die Construction • 350mW Power Dissipation • Zener Voltages from 2.4V - 51V • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Stan


Diodes Incorporated
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BZX84C12

350mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE



Won-Top Electronics
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BZX84C12 - Diodes Incorporated
BZX84C12 데이터시트

DIODE, ZENER, 12V, 0.35W, SOT23-3

BZX84C12 데이터시트.pdf

재고수량: 2

5000 개당: 0.032 SGD
1000 개당: 0.036 SGD
500 개당: 0.052 SGD
100 개당: 0.068 SGD

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BZX84C12 - Diodes Incorporated
BZX84C12 데이터시트

DIODE, ZENER, 12V, 0.35W, SOT23-3

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재고수량: 2

5000 개당: 0.032 SGD
1000 개당: 0.036 SGD
500 개당: 0.052 SGD

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BZX84C12 - onsemi

ZENER DIODE, 12V, 5%, 0.25W, UNI

BZX84C12 데이터시트.pdf

재고수량: 253220

11539 개당: 0.03 USD

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BZX84C12 - Diotec Semiconductor AG

ZENER SOT-23 12V 0.3W 5%

BZX84C12 데이터시트.pdf

재고수량: 1715

150000 개당: 0.01491 USD
75000 개당: 0.01794 USD
30000 개당: 0.02074 USD
9000 개당: 0.02242 USD

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BZX84-C12-QVL - Nexperia
BZX84-C12-QVL 데이터시트

(Alt: BZX84-C12-QVL)

BZX84-C12-QVL 데이터시트.pdf

재고수량: 300000

120000 개당: 0.0045 USD
60000 개당: 0.00495 USD

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관련 검색 목록

BZX11

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX11 pdf


BZX12

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

datasheet BZX12 pdf


BZX12

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX12 pdf


BZX13

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

datasheet BZX13 pdf


BZX13

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

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