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BZX84C30

300mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE

Features • Planar Die Construction • 350mW Power Dissipation • Zener Voltages from 2.4V - 51V • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Stan


Diodes Incorporated
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BZX84C30

350mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE



Won-Top Electronics
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BZX84C30 - SPC Multicomp

ZENER DIODE, 0.3W, 30V, SOT-23

BZX84C30 데이터시트.pdf

재고수량: 5351

5000 개당: 0.028 SGD
1000 개당: 0.032 SGD
500 개당: 0.045 SGD

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BZX84C30 - SPC Multicomp

ZENER DIODE, 0.3W, 30V, SOT-23

BZX84C30 데이터시트.pdf

재고수량: 5351

5000 개당: 0.028 SGD
1000 개당: 0.032 SGD
500 개당: 0.045 SGD
100 개당: 0.064 SGD

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BZX84C30 - Taiwan Semiconductor

SOT-23, 300MW, 5%, SMALL SIGNAL



재고수량: 0

150000 개당: 46.97061 KRW
60000 개당: 54.19687 KRW
30000 개당: 60.33893 KRW
12000 개당: 61.42317 KRW

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BZX84C30 - Diotec Semiconductor AG

IC

BZX84C30 데이터시트.pdf

재고수량: 0

3000 개당: 41.23567 KRW

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BZX84-C30215 - Nexperia

Diode Zener Single 30V 5% 250mW 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: BZX84-C30,215)



재고수량: 225000

138000 개당: 0.01251 USD
69000 개당: 0.01554 USD

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관련 검색 목록

BZX11

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX11 pdf


BZX12

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

datasheet BZX12 pdf


BZX12

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX12 pdf


BZX13

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

datasheet BZX13 pdf


BZX13

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

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