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BZX84C47

350mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE

Features • Planar Die Construction • 350mW Power Dissipation • Zener Voltages from 2.4V - 51V • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Stan


Diodes Incorporated
Diodes Incorporated


BZX84C47

350 mW Surface Mount Zener Diodes

BZX84C2V7–BZX84C51 Vishay Telefunken 350 mW Surface Mount Zener Diodes Features D D D D Planar die construction 350 mW Power dissipation Zener voltages from 2.7V – 51V Ideally suited for automated assembly processes 94 8550 Absolute Maximum Ratings Tj = 25_C Parameter Power dissipation Zener


Vishay Telefunken
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BZX84C47 - SPC Multicomp

ZENER DIODE, 0.3W, 47V, SOT-23

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재고수량: 27355

5000 개당: 0.035 SGD
1000 개당: 0.041 SGD
500 개당: 0.057 SGD
100 개당: 0.08 SGD

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BZX84C47 - Diodes Incorporated
BZX84C47 데이터시트

DIODE, ZENER, 47V, 0.35W, SOT23-3

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재고수량: 2150

5000 개당: 0.032 SGD
1000 개당: 0.038 SGD
500 개당: 0.054 SGD

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BZX84C47 - Diotec Semiconductor AG
BZX84C47 데이터시트

ZENER SOT-23 47V 0.3W 5%

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재고수량: 2992

1000 개당: 0.03363 USD
500 개당: 0.04932 USD
250 개당: 0.0594 USD
100 개당: 0.0802 USD

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BZX84C47 - Diotec Semiconductor AG
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ZENER SOT-23 47V 0.3W 5%

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1000 개당: 0.03363 USD
500 개당: 0.04932 USD
250 개당: 0.0594 USD
100 개당: 0.0802 USD

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SZBZX84C47LT1G - onsemi

Diode Zener Single 47V 6% 300mW 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SZBZX84C47LT1G)

SZBZX84C47LT1G 데이터시트.pdf

재고수량: 0

1950000 개당: 0.01529 USD
975000 개당: 0.01566 USD
390000 개당: 0.01605 USD
195000 개당: 0.01646 USD

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관련 검색 목록

BZX11

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX11 pdf


BZX12

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

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BZX12

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

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BZX13

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

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BZX13

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

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