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BZX85B5V6

Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

BZX85B... Vishay Telefunken Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes Features D D D D Sharp edge in reverse characteristics Low reverse current Low noise Very high stability Applications 94 9369 Voltage stabilization Absolute Maximum Ratings Tj = 25_C Parameter Power dissipation Junction temperature


Vishay Telefunken
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BZX85B5V6

Zener Diodes

BZX85-Series www.vishay.com Vishay Semiconductors Zener Diodes FEATURES • Silicon planar power Zener diodes • For use in stabilizing and clipping circuits with high power rating • The Zener voltages are graded according to the international E 24 standard. Replace suffix “C” with “B”


Vishay
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BZX85B5V6-TR - Vishay Semiconductors

DIODE ZENER 5.6V 1.3W DO41



재고수량: 25000

125000 개당: 0.04396 USD
50000 개당: 0.04464 USD
25000 개당: 0.05391 USD
10000 개당: 0.05494 USD

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BZX85B5V6-TR - Vishay Semiconductors

DIODE ZENER 5.6V 1.3W DO41



재고수량: 3290

2000 개당: 0.06645 USD
1000 개당: 0.07898 USD
500 개당: 0.10646 USD
100 개당: 0.1305 USD

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BZX85B5V6-TAP - Vishay Intertechnologies

Zener Diodes 5.6 Volt 1.3 Watt 2%

BZX85B5V6-TAP 데이터시트.pdf

재고수량: 37286

1 개당: 0.26 USD
10 개당: 0.182 USD
100 개당: 0.075 USD
1000 개당: 0.047 USD

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BZX85B5V6-TR - Vishay Intertechnologies

Zener Diodes 5.6 Volt 1.3 Watt 2%

BZX85B5V6-TR 데이터시트.pdf

재고수량: 11975

1 개당: 0.33 USD
10 개당: 0.224 USD
100 개당: 0.105 USD
1000 개당: 0.066 USD

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BZX85B5V6-TR - Vishay Intertechnologies

Diode Zener Single 5.6V 2% 1300mW 2-Pin DO-41 T/R

BZX85B5V6-TR 데이터시트.pdf

재고수량: 6312

6000 개당: 0.0068 USD
3000 개당: 0.0086 USD
1000 개당: 0.0093 USD
500 개당: 0.0161 USD

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관련 검색 목록

BZX11

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX11 pdf


BZX12

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

datasheet BZX12 pdf


BZX12

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX12 pdf


BZX13

Zener Diode

ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju


COS
COS

datasheet BZX13 pdf


BZX13

Zener Diode

w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w


COS
COS

datasheet BZX13 pdf



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