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검색 결과 목록 |
| C25 Uncoated Metallized Polyester Film Capacitor RoHS
Compliant
SPECIFICATION FOR APPROVAL
File No.: Q, FRK 0.GS.E.C25-E08
Product Name Product Type Product Code
Customer Customer Code Issue Date
Uncoated Metallized Polyester Film Capacitor(Stacked version) C25(CL25 Series)
2014-10
® Xiamen Faratronic Co. Ltd.
represented by
ALFATEC GmbH & 핀배열 및 상세이미지    Xiamen Faratronic |
| C2500 NPN Transistor - 2SC2500
2SC2500
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC2500
Strobe Flash Applications Medium-Power Amplifier Applications
Unit: mm
High DC current gain and excellent hFE linearity
: hFE (1) = 140 to 600 (VCE = 1 V, IC = 0.5 A)
: hFE (2) = 70 (min), 200 (typ.), (VCE = 1 V, IC = 2  Toshiba |
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리니어리티(linearity)가 탁월한 헤드폰 앰프 SKEL6120
용량은 데이터시트에 제시된 용량인 100uF과 10uF 그대로이다. 부품 부품은 고급스러운 부품에... ESAC25-02N(C25 O2N)를 썼다. 캐패시터는 다음과 같다. 10pF과 220pF은 실버마이카를, TPA6120A2 디커플링 10uF과...
blog jumpmach - 작성일 : 20070712
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openparts님의 블로그 - 작성일 : 20260112
IEC 60320 C5/C6, C7/C8, C13/C14
[ 1 ] 표준에서는 커플러의 부품이 다음과 같이 정의되어 있습니다. 커넥터 : "전원 공급 장치에... UPS , 데이터 센터 랙 장착형 전원 분배 장치 및 기타 장비에 전원을 공급하는 데 일반적입니다. C21 C22...
T H E · I M P R E S S I O N · I S S U E - 작성일 : 20250221
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록 |
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C250R500P Microwave Carbon Rod Resistors __ Microwave Carbon Rod Resistors
_ MECHANICAL SPECIFICATIONS
Substrate: Alumina or Beryllium Oxide Ceramic (Note: Letter "P" Denotes Beryllium Oxide.)
Std. Tolerance: Standard Resistance Tolerance ± 2% at 25°C Terminals:
Terminal Areas are Nickel, Tin Plated which reduces oxidation thus provid  Component General  |
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C250R750P Microwave Carbon Rod Resistors __ Microwave Carbon Rod Resistors
_ MECHANICAL SPECIFICATIONS
Substrate: Alumina or Beryllium Oxide Ceramic (Note: Letter "P" Denotes Beryllium Oxide.)
Std. Tolerance: Standard Resistance Tolerance ± 2% at 25°C Terminals:
Terminal Areas are Nickel, Tin Plated which reduces oxidation thus provid Component General |
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C251 UPC251  NEC |
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C251 Bipolar Analog Integrated Circuits
85
14 10.16 MAX.
4.31 MAX.
0.9 MIN.
7.62 6.4
5.08 MAX.
0.51 MIN. 3.2±0.3
1.4 MIN. 0.50±0.10
2.54 1.27 MAX.
0.25 M
0.25+ 00..0150
0 15˚ P8C-100-300B, C-1
85
1
1.59±0.21 1.49
5.2+ 00..1270
4
3° + 73°°
6.5 ±0.3 4.4±0.15
S
0.42
+0.08 0.07
0.1± 0 NEC |
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C2510 NPN Transistor - 2SC2510 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
2SC2510
2SC2510
2~30MH- SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (28V SUPPLY VOLTAGE USE)
l Specified 28V, 28MH- Characteristics
l Output Power
: Po = 150WPEP (Min.)
l Power Gain
: Gp = 12.2dB (Min.)
l Collector Efficiency
: ηC = 35% (Min Toshiba |
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