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| C2551 NPN Transistor - 2SC2551 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC2551
2SC2551
Hight Voltage Control Applications Plasma Display, Nixie Tube Driver Applications Cathode Ray Tube Brightness Control Applications
Industrial Applications Unit: mm
High voltage: VCBO = 300 V, VCEO = 300 V Low saturatio 핀배열 및 상세이미지    Toshiba |
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C250R500P Microwave Carbon Rod Resistors __ Microwave Carbon Rod Resistors
_ MECHANICAL SPECIFICATIONS
Substrate: Alumina or Beryllium Oxide Ceramic (Note: Letter "P" Denotes Beryllium Oxide.)
Std. Tolerance: Standard Resistance Tolerance ± 2% at 25°C Terminals:
Terminal Areas are Nickel, Tin Plated which reduces oxidation thus provid  Component General  |
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C250R750P Microwave Carbon Rod Resistors __ Microwave Carbon Rod Resistors
_ MECHANICAL SPECIFICATIONS
Substrate: Alumina or Beryllium Oxide Ceramic (Note: Letter "P" Denotes Beryllium Oxide.)
Std. Tolerance: Standard Resistance Tolerance ± 2% at 25°C Terminals:
Terminal Areas are Nickel, Tin Plated which reduces oxidation thus provid Component General |
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C251 UPC251  NEC |
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C251 Bipolar Analog Integrated Circuits
85
14 10.16 MAX.
4.31 MAX.
0.9 MIN.
7.62 6.4
5.08 MAX.
0.51 MIN. 3.2±0.3
1.4 MIN. 0.50±0.10
2.54 1.27 MAX.
0.25 M
0.25+ 00..0150
0 15˚ P8C-100-300B, C-1
85
1
1.59±0.21 1.49
5.2+ 00..1270
4
3° + 73°°
6.5 ±0.3 4.4±0.15
S
0.42
+0.08 0.07
0.1± 0 NEC |
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C2510 NPN Transistor - 2SC2510 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
2SC2510
2SC2510
2~30MH- SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (28V SUPPLY VOLTAGE USE)
l Specified 28V, 28MH- Characteristics
l Output Power
: Po = 150WPEP (Min.)
l Power Gain
: Gp = 12.2dB (Min.)
l Collector Efficiency
: ηC = 35% (Min Toshiba |
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