C2M0040120D의 가격 정보 및 구매처를 확인 할 수 있습니다. |
|
|
검색 결과 목록
| C2M0040120D Silicon Carbide Power MOSFET VDS 1200 V
C2M0040120D
Silicon Carbide Power MOSFET TM
C2M MOSFET Technology
ID @ 25˚C
60 A
RDS(on) 40 mΩ
N-Channel Enhancement Mode
Features
Package
High Blocking Voltage with Low On-Resistance High Speed Switching with Low Capacitances Easy to Parallel and S   Cree |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
|
C2M0080120D Silicon Carbide Power MOSFET
VDS
1200 V
C2M0080120D
Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFET
Features Package
ID @ 25˚C 31.6 A RDS(on) 80 mΩ
N-Channel Enhancement Mode
High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy to Parallel and Simple to Cree  |
|
C2M0160120D Silicon Carbide Power MOSFET
VDS
1200 V 17.7 A 160 mΩ
C2M0160120D
Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFET
Features Package
ID(MAX) @ 25˚C RDS(on)
N-Channel Enhancement Mode
High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy to Parallel and Simp Cree |
|
C2M0280120D Silicon Carbide Power MOSFET VDS 1200 V
C2M0280120D
Silicon Carbide Power MOSFET TM
C2M MOSFET Technology
ID @ 25˚C 10 A
RDS(on)
280 mΩ
N-Channel Enhancement Mode
Features
Package
New C2M SiC MOSFET technlogy High Blocking Voltage with Low On-Resistance High Speed Switching with Low Capacit Cree |
|
C2M1000170D Silicon Carbide Power MOSFET
VDS
1700 V
C2M1000170D
Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFET
Features Package
ID @ 25˚C 4.9 A RDS(on) 1.0 Ω
N-Channel Enhancement Mode
High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy to Parallel and Simple to Driv Cree |
|
국내 및 해외 전자부품 구매 정보 및 가격정보를 쉽게 확인 할수 있습니다. 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 결과를 필터링하여 필요한 정확한 데이터시트를 쉽게 찾을 수 있습니다. |
|
검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. 이 페이지에 대한 링크를 허용합니다. |
|
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 맵 : 1, 2 |