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| C3460 NPN Transistor - 2SC3460 Ordering number:EN1594B
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC3460
800V, 6A Switching Regulator Applications
Features
· High breakdown voltage and high reliability. · Fast switching speed (tf : 0.1 s typ). · Wide ASO. · Adoption of MBIT process.
Package Dimensions
unit:mm 2022A
[2S  Sanyo Semicon Device |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
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C3415 NPN Transistor - 2SC3415 Elektronische Bauelemente
2SC3415
0.1A , 300V NPN Plastic-Encapsulated Transistor
RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES
High Breakdown Voltage Low Collector Output Capacitance Ideal for Chroma Circuit
CLASSIFICATION OF hFE
Product-Rank 2SC3415-M
 SeCoS  |
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C3419 NPN Transistor - 2SC3419  Toshiba Semiconductor |
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C3420 NPN Transistor - 2SC3420 2SC3420
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC3420
Strobe Flash Applications Audio Power Amplifier Applications
Unit: mm
High DC current gain : hFE = 140 to 600 (VCE = 2 V, IC = 0.5 A) : hFE = 70 (min) (VCE = 2 V, IC = 4 A) Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.0 V (m  Toshiba |
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C3421 NPN Transistor - 2SC3421 2SC3421
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC3421
Audio Frequency Power Amplifier Applications
Unit: mm Complementary to 2SA1358 Suitable for driver of 60 to 80 watts audio amplifier High breakdown voltage
Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics Collect Toshiba Semiconductor |
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C3422 NPN Transistor - 2SC3422 Toshiba |
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