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| C3617 NPN Transistor - 2SC3617 DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SC3617
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
  Renesas |
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C3607 NPN Transistor - 2SC3607 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC3607
2SC3607
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
Unit: mm
· Low noise figure, high gain. · NF = 1.1dB, |S21e|2 = 9.5dB (f = 1 GHz)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Collector-base voltage Collector-  Toshiba  |
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C3611 NPN Transistor - 2SC3611 Power Transistors
2SC3611
Silicon NPN epitaxial planar type
Unit: mm
For video amplifier
φ 3.16±0.1
8.0+0.5 0.1
3.2±0.2
I Absolute Maximum Ratings TC = 25°C
0.75±0.1
Parameter Collector to base voltage Collector to emitter voltage
Symbol VCBO VCER VCEO VEBO ICP IC PC Tj Tstg
Rating 110  Panasonic Semiconductor |
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C3615 NPN Transistor - 2SC3615  NEC |
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C3616 NPN Transistor - 2SC3616 NEC |
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C3616 NPN Transistor - 2SC3616 NEC |
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