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| CEA3055L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor   Chino-Excel Technology |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
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CEA6200 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CEA6200
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
PRELIMINARY
FEATURES
60V, 1.8A, RDS(ON) = 250mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 330mΩ @VGS = 4.5V.
High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT-89 package.
D
D SOT-89
S D G
G
S
 CET  |
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CEA6426 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CEA6426
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
60V, 4.6A, RDS(ON) = 90mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 110mΩ @VGS = 4.5V.
High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT-89 package.
D
D SOT-89
S D G
G
S
ABSOLUTE MAXIMU CET |
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CEA6861 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CEA6861
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES
-60V, -2.4A, RDS(ON) = 135mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 180mΩ @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT-89 package. D
D S D G SOT-89
G
S
ABSOLUTE MAXI CET |
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CEAS03xV0-G Bidirectional ESD / Transient Suppressor
Bidirectional ESD , Transient Suppressor
CE Series -G (RoHS Device)
Features
(16kV) IEC 61000-4-2 rating Surface mount package High component density
SOT23-6
-VBD 0V +VBD
Applications
ESD suppression Transient suppression Automotive CAN Bus
Schematic
SOT23-5 SOT-23-3
3 2 1
4 5 6
3 2 1
4 5  Comchip Technology |
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