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CEB01N6G

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP01N6G, CEB01N6G CEF01N6G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type CEP01N6G CEB01N6G CEF01N6G VDSS 600V 600V 600V RDS(ON) 9.3Ω 9.3Ω 9.3Ω ID @VGS 1A 10V 1A 10V 1A d 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capabil



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CEB02N6

N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

CEP02N6, CEB02N6 4 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25 C unless otherwise noted) Parameter DYNAMIC CHARACTERISTICS b Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Diode Forward Voltage CISS COSS CRSS a Symbol Condition Min Typ Max Unit 250 50 30 1.5 PF PF PF VDS =25V, VGS = 0V


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CEB02N65A

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type CEP02N65A CEB02N65A CEF02N65A VDSS 650V 650V 650V RDS(ON) 10.5Ω 10.5Ω 10.5Ω ID 1.3A 1.3A 1.3A d @VGS 10V 10V 10V CEP02N65A, CEB02N65A CEF02N65A PRELIMINARY Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and


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CEB02N65G

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP02N65G, CEB02N65G CEF02N65G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type CEP02N65G CEB02N65G CEF02N65G VDSS 650V 650V 650V RDS(ON) 5.5Ω 5.5Ω 5.5Ω ID @VGS 2A 10V 2A 10V 2A d 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing c


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CEB02N6A

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP02N6A, CEB02N6A CEI02N6A, CEF02N6A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type CEP02N6A CEB02N6A CEI02N6A CEF02N6A VDSS 650V 650V 650V 650V RDS(ON) 7.5Ω 7.5Ω 7.5Ω 7.5Ω ID 1.5A 1.5A 1.5A 1.5A e @VGS 10V 10V 10V 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(O


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CEB02N6G

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP02N6G, CEB02N6G CEF02N6G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type CEP02N6G CEB02N6G CEF02N6G VDSS 600V 600V 600V RDS(ON) 5Ω 5Ω 5Ω ID 2.2A 2.2A 2.2A d @VGS 10V 10V 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capabi


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