CEH2288 전자부품 구매정보 및 가격 조회

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검색 결과 목록

CEH2288

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEH2288 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 5.2A , RDS(ON) = 23mΩ @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 30mΩ @VGS = 2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. Lead-free plating ; RoHS compliant. TSOP-6 package. 4 5 6 3 2 1 TSOP-6 G1(6) D1(2)

CET

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관련 검색 목록

CEH2311

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEH2311 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V, -3.5A, RDS(ON) = 85mΩ @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 130mΩ @VGS = -2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. Lead free product is acquired. TSOP-6 package. 4 5 6 3 2 1 TSOP-6 S(4) G(3) D(1,2,5,

CET

CEH2313

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEH2313 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -4.6A, RDS(ON) = 60mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 90mΩ @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. Lead free product is acquired. TSOP-6 package. 4 5 6 3 2 1 TSOP-6 S(4) G(3) D(1,2,5,6,)

CET

CEH2316

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEH2316 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 6A , RDS(ON) = 34mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 50mΩ @VGS = 4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. Lead free product is acquired. TSOP-6 package. 4 5 6 3 2 1 TSOP-6 S(4) G(3) D(1,2,5,6,) ABS

CET

CEH2321

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEH2321 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V, -4.8A, RDS(ON) = 55mΩ @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 80mΩ @VGS = -2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. Lead free product is acquired. TSOP-6 package. 4 5 6 3 2 1 TSOP-6 S(4) G(3) D(1,2,5,6,

CET

CEH2321A

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEH2321A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -20V, -4.8A, RDS(ON) = 55mΩ @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 75mΩ @VGS = -2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. Lead-free plating ; RoHS compliant. TSOP-6 package. 4 5 6 3 2 1

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