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| CEP02N65A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES
Type CEP02N65A CEB02N65A CEF02N65A VDSS 650V 650V 650V RDS(ON) 10.5Ω 10.5Ω 10.5Ω ID 1.3A 1.3A 1.3A d @VGS 10V 10V 10V
CEP02N65A, CEB02N65A CEF02N65A
PRELIMINARY
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and   CET |
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CEP02N6 N-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor TO220/TO263 Package CEP02N6, CEB02N6
Sep. 2002
4
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
600V , 2A , RDS(ON)=5Ω @VGS=10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handling capability. TO-220 & TO-263 package.
D
G
D G
G D S
S
CEB SERIES TO-263  Chino-Excel Technology  |
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CEP02N65A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES
Type CEP02N65A CEB02N65A CEF02N65A VDSS 650V 650V 650V RDS(ON) 10.5Ω 10.5Ω 10.5Ω ID 1.3A 1.3A 1.3A d @VGS 10V 10V 10V
CEP02N65A, CEB02N65A CEF02N65A
PRELIMINARY
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and CET |
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CEP02N65G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CEP02N65G, CEB02N65G CEF02N65G
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
Type CEP02N65G CEB02N65G CEF02N65G
VDSS 650V 650V
650V
RDS(ON) 5.5Ω 5.5Ω
5.5Ω
ID @VGS 2A 10V 2A 10V 2A d 10V
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing c CET |
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CEP02N6A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CEP02N6A, CEB02N6A CEI02N6A, CEF02N6A
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES
Type CEP02N6A CEB02N6A CEI02N6A CEF02N6A VDSS 650V 650V 650V 650V RDS(ON) 7.5Ω 7.5Ω 7.5Ω 7.5Ω ID 1.5A 1.5A 1.5A 1.5A e @VGS 10V 10V 10V 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(O CET |
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CEP02N6G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CEP02N6G, CEB02N6G CEF02N6G
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
Type CEP02N6G CEB02N6G CEF02N6G
VDSS 600V 600V
600V
RDS(ON) 5Ω 5Ω
5Ω
ID 2.2A 2.2A 2.2A d
@VGS 10V 10V
10V
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capabi CET |
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