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CET04N10

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CET04N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 3A, RDS(ON) = 200mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 280mΩ @VGS = 6V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT-223 package. D D G SOT-223 D S G S ABSOLUTE MAXIMUM



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CET3055L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor



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CET3252

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CET3252 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 8A, RDS(ON) = 32mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 45mΩ @VGS = 4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT-223 package. D PRELIMINARY D G SOT-223 D S G S ABSOLU


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CET4301

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CET4301 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -40V, -6.3A, RDS(ON) = 44mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 68mΩ @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT-223 package. D D D G SOT-223 G S S ABSOLUTE MAXI


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datasheet CET4301 pdf


CET4401B

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -40V, -4.9A, RDS(ON) = 57mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 85mΩ @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT-223 package. D CET4401B D G SOT-223 D S G S ABSOLUTE M


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datasheet CET4401B pdf


CET4435A

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CET4435A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -8.8A, RDS(ON) = 24mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 35mΩ @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT-223 package. D D D G SOT-223 G S S ABSOLUTE MAX


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datasheet CET4435A pdf



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