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CJK2305 P-Channel MOSFET JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJK2305 P-Channel 8-V(D-S) MOSFET
V(BR)DSS
-12V
RDS(on)MAX
45mΩ@-4.5V 60mΩ@-2.5V 90mΩ@-1. 8V
ID
-4.1A
SOT-23-3L
1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN D
FEATURE TrenchFET Power MOSFET
APPLICATIONS - Load Switch f ![]() ![]() JCET |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
CJK3401A P-Channel MOSFET JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJK3401A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
V(BR)DSS
-30V
RDS(on)MAX
60 mΩ@-10V 70 mΩ@-4.5V 85 mΩ@-2.5V
ID
-4.2A
SOT-23-3L
1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN D
FEATURE - High dense cell design ![]() JCET ![]() |
CJK3407 P-Channel MOSFET JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJK34 07 P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
V(BR)DSS
-30V
RDS(on)MAX
\60mΩ@-10 V 87mΩ@-4.5V
ID
-4.1A
SOT-23-3L
1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN D
General Description The CJK3407 uses advanced trench technology to pr ![]() JCET ![]() |
CJK3415 P-Channel MOSFET JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJK3415 P-Channel 20-VV((DD--SS))MMOOSSFFEETT
V(BR)DSS
-20V
RDS(on)MAX
50mΩ@-4.5V 60mΩ@-2.5V 73mΩ@-1. 8V
ID
-4.0A
FEATURE Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltages
APPLICATIONS Load switch an ![]() JCET ![]() |
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