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CJMNT32-W

PNP Power Transistor

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2×2-6L-U Power Management Transistors- MOSFET CJMNT32-W V(BR)DSS, VCEO 20V -30V PNP Power Transistor with N-MOSFET RDS(on)MAX 600mΩ@4.5V 650mΩ@2.5V 700mΩ@1.8V , ID, IC 0.8A -1.5A DFNWB2×2-6L-U D C FEATURE - Ultra low collector-to-e



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CJM1216

P-Channel Power MOSFET

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2*2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CJM1216 P-Channel Power MOSFET V(BR)DSS -12 V RDS(on)MAX 21mΩ@-4.5V 27mΩ@-2.5V ID -16A DFNWB2×2-6L-J 1. DRAIN 2. DRAIN 3. GATE 4. SOURCE 5. DRAIN 6. DRAIN DESCRIPTION The CJM1216 uses advanced tre


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CJM16C0101

TFT LCD Module

Global LCD Panel Exchange Center www.panelook.com SPECIFICATION FOR TFT-LCD MODULE CJM16C0101 JILIN CAIJING DIGITAL TECHNOLOGY PANELS Co., Ltd 1999, 9, 30 One step solution for LCD , PDP , OLED panel application: Datasheet, inventory and accessory! www.panelook.com Global LCD Panel Exchange C


JILIN CAIJING DIGITAL TECHNOLOGY
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datasheet CJM16C0101 pdf


CJM3005

N-Channel MOSFET

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2X2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CJM3005 V(BR)DSS 30V N-Channel MOSFET RDS(on)MAX 42 mΩ@10V 44 mΩ@4.5V 50 mΩ@2.5V ID 5A DFNWB2×2-6L-J FEATURE - TrenchFET Power MOSFET - Low RDS(ON) - Typical ESD Protection MARKING APPLICATION - I


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CJM7201

N-channel and P-channel MOSFETS

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2X2-6L-U Plastic-Encapsulate MOSFETS CJM7201 V(BR)DSS 60V -20V N-Channel +P-Channel MOSFET RDS(on)MAX 7Ω@10V 7Ω@5V 112mΩ@-4.5V 142mΩ@-2.5V ID 0.115A -2.3A DFNWB2×2-6L-U FEATURE Surface Mount Package TrenchFET Power MOSFET High


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CJMN2012

N-Channel Power MOSFET / Transistor

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2X2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CJMN2012 N-Channel MOSFET V(BR)DSS 20V RDS(on)MAX 11mΩ@ 4.5V 13mΩ@ 2.5V 16 mΩ@1.8V 22mΩ@1.5V 41mΩ@1.2V ID 12A DFNWB2×2-6L-J FEATURES TrenchFET Power MOSFET Small package DFNWB2×2-6L-J M


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