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| CJP06N60 Power Filed Effect Transistor
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  Jiangsu Changjiang Electronics Technology |
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CJP03N60 Power MOSFET ( Transistor )
CJP03N60
Jiangsu Changjiang Electronics Technology  |
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CJP04N20 Power Filed Effect Transistor Jiangsu Changjiang Electronics Technology |
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CJP04N60 N-Channel MOSFET JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJP04N60
V(BR)DSS
600V
600V N-Channel Power MOSFET
RDS(on)MAX
3Ω@10V
ID
4A
TO-220-3L
General Description This advanced high voltage MOSFET is designed to wighstand
high energy in the avalanche mode and  JCET |
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CJP04N60A N-Channel MOSFET JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJP04N60A
V(BR)DSS
600V
N-Channel Power MOSFET
RDS(on)MAX
3Ω@10V
ID
4A
TO-220-3L
GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch JCET |
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CJP04N65 N-Channel MOSFET JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJP04N65
V(BR)DSS
650V
N-Channel Power MOSFET
RDS(on)MAX
3Ω@10V
ID
4A
TO-220-3L
GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch ef JCET |
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