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| CM800DU-12H Dual IGBTMOD 800 Amperes/600 Volts CM800DU-12H
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
Dual IGBTMOD™ U-Series Module
800 Amperes, 600 Volts
A "R" (4 PLACES) E F G H
G2
J
E2 C2E1 E2
B
E
K
E1
L
M
G1
C1
J
"T" (4 PLACES) N "S" (3 PLACES) Q P
D
C
Description: Powerex IGBTMOD™ M   Powerex Power Semiconductors |
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이노오피스 - 작성일 : 20250919
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단열재연구소 - 작성일 : 20231218
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원동김 - 작성일 : 20251025
국내 전자부품 판매점 |
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CM800E2C-66H 2nd-Version HVIGBT Modules
MITSUBISHI HVIGBT MODULES
CM800E2C-66H
HIGH POWER SWITCHING USE 2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE
CM800E2C-66H
q IC ................................................................... 800A q VCES ..........................................  Mitsubishi Electric  |
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CM800E2Z-66H HIGH POWER SWITCHING USE
MITSUBISHI HVIGBT MODULES
CM800E2Z-66H
HIGH POWER SWITCHING USE 2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE
CM800E2Z-66H
q IC ................................................................... 800A q VCES ..........................................  Mitsubishi Electric Semiconductor |
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CM800E6C-66H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
MITSUBISHI HVIGBT MODULES
CM800E6C-66H
3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
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q IC ................................................................... 800A q VCES .......................................... Mitsubishi Electric |
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CM800HA-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE MITSUBISHI IGBT MODULES
CM800HA-24H
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
A B U - M4 THD (2 TYP.)
R
K P
E
M
G
B S - M8 THD (2 TYP.)
A
C
E
C
J
G
Q T - DIA. (4 TYP.) H
L F N
Description: Mitsubishi IGBT Modules are designed for use in switching applications. Each module consists of on Mitsubishi Electric Semiconductor |
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CM800HA-24H Single IGBTMOD 800 Amperes/1200 Volts Powerex Power Semiconductors |
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